기업로고 (출처:tel.com)
도쿄일렉트론(Tokyo Electron)이 인공지능(AI) 서버 확산에 따른 메모리 반도체 투자 확대를 정면으로 겨냥하고 있다. 2026년 이후 반도체 투자 회복의 핵심 동력으로 AI 서버용 메모리 수요를 지목하고, 고성능 제조장비를 앞세워 시장 점유율 확대에 나선다는 전략이다.
회사의 판단 배경에는 메모리 가격 급등이 있다. 데이터 임시 저장에 쓰이는 DRAM 가격은 2025년 가을 이후 급등세를 보이며, 대표 제품의 현물 가격이 1년 전 대비 약 10배까지 상승했다. 도쿄일렉트론은 이를 반도체 시황의 구조적 전환 신호로 보고, 장기적인 수요 확대 국면에 진입할 가능성도 염두에 두고 있다.
AI 학습·추론 수요 확대로 글로벌 데이터센터 투자가 급증하면서 서버 한 대당 반도체 탑재량이 크게 늘고 있다. 회사는 메모리 업체들이 2026년부터 증산에 나서며 제조장비 발주를 본격화할 것으로 예상한다. 특히 AI 반도체에 필수적으로 탑재되는 고대역폭 메모리(HBM) 투자가 빠르게 확대되고 있다. SK하이닉스(SK hynix)와 삼성전자(Samsung Electronics)는 수조 엔 규모의 자금을 투입해 신규 공장을 건설 중이며, 2027~2028년 가동을 목표로 하고 있다.
도쿄일렉트론이 가장 기대를 거는 분야는 에칭 장비다. HBM은 다수의 DRAM을 수직으로 적층하는 구조로, 적층 수 증가에 따라 배선 공정과 이를 담당하는 에칭 공정의 중요성이 커지고 있다. 회사는 DRAM 배선 공정용 에칭 장비 매출을 2025년 3월기 수백억 엔 수준에서 2030년까지 누적 5,000억 엔 이상으로 확대한다는 목표를 제시했다.
미세화가 진행되는 DRAM의 캐패시터 공정도 기회 요인으로 꼽힌다. 캐패시터는 더 가늘고 깊은 구조가 요구되며, 고난도의 수직 에칭 기술이 필수적이다. 도쿄일렉트론은 해당 분야를 자사의 강점으로 내세우며 기술 우위를 강조하고 있다.
실적 측면에서는 단기 부담도 존재한다. 2026년 3월기 순이익은 고객사의 투자 시점 지연 등으로 전년 대비 10% 감소한 4,880억 엔이 예상된다. 다만 연구개발비는 2,900억 엔(+16%), 설비투자는 2,400억 엔(+48%)으로 합계 5,300억 엔에 달해 모두 역대 최대 수준의 선행 투자를 계획하고 있다. 미야기·구마모토·이와테 현 거점에서는 신규 개발동과 생산·물류 시설도 완공됐다.
연구개발 효율성은 경쟁사 대비 강점으로 평가된다. 최근 5년간 영업이익을 6~10년 전 연구개발비 합계로 나눈 지표에서 도쿄일렉트론은 5.5배로, 램리서치(Lam Research·4.5배)와 어플라이드 머티어리얼즈(Applied Materials·4.0배)를 웃돈다.
현재 에칭 장비 세계 시장 점유율은 램리서치가 40~50%로 선두를 유지하고, 도쿄일렉트론이 20~30%로 뒤를 잇고 있다. 시장에서는 도쿄일렉트론이 점유율을 수 포인트만 확대해도 실적 기여도가 크게 높아질 수 있다는 평가가 나온다.
주가 측면에서는 과제가 남아 있다. 2025년 이후 실적 전망 하향 조정 여파로 시가총액에서 어드반테스트(Advantest)에 밀리는 국면도 있었고, 주가 상승률 역시 글로벌 경쟁사 대비 제한적이었다. 다만 예상 주가수익비율(PER)은 29배 수준으로 램리서치(38배)보다 낮아, 점유율 확대와 함께 수익성 개선이 가시화될 경우 재평가 여지도 있다는 분석이다.
AI 메모리 투자라는 구조적 흐름 속에서, 도쿄일렉트론이 축적해온 선행 투자와 기술력이 본격적으로 성과를 낼 수 있을지 주목된다.
도쿄일렉트론(Tokyo Electron)이 인공지능(AI) 서버 확산에 따른 메모리 반도체 투자 확대를 정면으로 겨냥하고 있다. 2026년 이후 반도체 투자 회복의 핵심 동력으로 AI 서버용 메모리 수요를 지목하고, 고성능 제조장비를 앞세워 시장 점유율 확대에 나선다는 전략이다.
회사의 판단 배경에는 메모리 가격 급등이 있다. 데이터 임시 저장에 쓰이는 DRAM 가격은 2025년 가을 이후 급등세를 보이며, 대표 제품의 현물 가격이 1년 전 대비 약 10배까지 상승했다. 도쿄일렉트론은 이를 반도체 시황의 구조적 전환 신호로 보고, 장기적인 수요 확대 국면에 진입할 가능성도 염두에 두고 있다.
AI 학습·추론 수요 확대로 글로벌 데이터센터 투자가 급증하면서 서버 한 대당 반도체 탑재량이 크게 늘고 있다. 회사는 메모리 업체들이 2026년부터 증산에 나서며 제조장비 발주를 본격화할 것으로 예상한다. 특히 AI 반도체에 필수적으로 탑재되는 고대역폭 메모리(HBM) 투자가 빠르게 확대되고 있다. SK하이닉스(SK hynix)와 삼성전자(Samsung Electronics)는 수조 엔 규모의 자금을 투입해 신규 공장을 건설 중이며, 2027~2028년 가동을 목표로 하고 있다.
도쿄일렉트론이 가장 기대를 거는 분야는 에칭 장비다. HBM은 다수의 DRAM을 수직으로 적층하는 구조로, 적층 수 증가에 따라 배선 공정과 이를 담당하는 에칭 공정의 중요성이 커지고 있다. 회사는 DRAM 배선 공정용 에칭 장비 매출을 2025년 3월기 수백억 엔 수준에서 2030년까지 누적 5,000억 엔 이상으로 확대한다는 목표를 제시했다.
미세화가 진행되는 DRAM의 캐패시터 공정도 기회 요인으로 꼽힌다. 캐패시터는 더 가늘고 깊은 구조가 요구되며, 고난도의 수직 에칭 기술이 필수적이다. 도쿄일렉트론은 해당 분야를 자사의 강점으로 내세우며 기술 우위를 강조하고 있다.
실적 측면에서는 단기 부담도 존재한다. 2026년 3월기 순이익은 고객사의 투자 시점 지연 등으로 전년 대비 10% 감소한 4,880억 엔이 예상된다. 다만 연구개발비는 2,900억 엔(+16%), 설비투자는 2,400억 엔(+48%)으로 합계 5,300억 엔에 달해 모두 역대 최대 수준의 선행 투자를 계획하고 있다. 미야기·구마모토·이와테 현 거점에서는 신규 개발동과 생산·물류 시설도 완공됐다.
연구개발 효율성은 경쟁사 대비 강점으로 평가된다. 최근 5년간 영업이익을 6~10년 전 연구개발비 합계로 나눈 지표에서 도쿄일렉트론은 5.5배로, 램리서치(Lam Research·4.5배)와 어플라이드 머티어리얼즈(Applied Materials·4.0배)를 웃돈다.
현재 에칭 장비 세계 시장 점유율은 램리서치가 40~50%로 선두를 유지하고, 도쿄일렉트론이 20~30%로 뒤를 잇고 있다. 시장에서는 도쿄일렉트론이 점유율을 수 포인트만 확대해도 실적 기여도가 크게 높아질 수 있다는 평가가 나온다.
주가 측면에서는 과제가 남아 있다. 2025년 이후 실적 전망 하향 조정 여파로 시가총액에서 어드반테스트(Advantest)에 밀리는 국면도 있었고, 주가 상승률 역시 글로벌 경쟁사 대비 제한적이었다. 다만 예상 주가수익비율(PER)은 29배 수준으로 램리서치(38배)보다 낮아, 점유율 확대와 함께 수익성 개선이 가시화될 경우 재평가 여지도 있다는 분석이다.
AI 메모리 투자라는 구조적 흐름 속에서, 도쿄일렉트론이 축적해온 선행 투자와 기술력이 본격적으로 성과를 낼 수 있을지 주목된다.